English
Spain
China
Italy
GermanyHSG1002VE-TL-E
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
HSG1002VE-TL-E
Примечания
RF 0.035A C BAND GERMANIUM NPN
Подробное описание
RF Transistor NPN 3.5V 35mA 38GHz 200mW Surface Mount 4-MFPAK
Производитель
Renesas Electronics Corporation
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
706
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
Renesas Electronics Corporation
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Obsolete
Transistor Type
NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
3.5V
Frequency - Transition
38GHz
Noise Figure (dB Typ @ f)
0.7dB ~ 1.8dB @ 1.8GHz ~ 5.8GHz
Gain
8dB ~ 19.5dB
Power - Max
200mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 5mA, 2V
Current - Collector (Ic) (Max)
35mA
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
4-SMD, Gull Wing
Supplier Device Package
4-MFPAK
Классификация окружающей среды и экспорта
RoHS Status
Not applicable
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
0000.00.0000
Другие названия
2156-HSG1002VE-TL-E
RENRNSHSG1002VE-TL-E
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Bipolar RF Transistors/Renesas Electronics Corporation HSG1002VE-TL-E
Документация и средства массовой информации
Datasheets
1(Datasheet)
Количественные цены
Количество: 706
Стоимость единицы: $0.43
Упаковка: Bulk
Минимальный множитель: 706
Упаковка: Bulk
Минимальный множитель: 706
Альтернативы
-