English
Spain
China
Italy
GermanyUF3SC120016K3S
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
UF3SC120016K3S
Примечания
SICFET N-CH 1200V 107A TO247-3
Подробное описание
N-Channel 1200 V 107A (Tc) 517W (Tc) Through Hole TO-247-3
Производитель
Qorvo
Стандартный срок поставки
44 Weeks
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
30
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
Qorvo
Series
-
Package
Tube
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
SiCFET (Cascode SiCJFET)
Drain to Source Voltage (Vdss)
1200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
107A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
21mOhm @ 50A, 12V
Vgs(th) (Max) @ Id
6V @ 10mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
218 nC @ 15 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
7824 pF @ 800 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
517W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-247-3
Package / Case
TO-247-3
Base Product Number
UF3SC120016
Классификация окружающей среды и экспорта
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Другие названия
-
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Qorvo UF3SC120016K3S
Документация и средства массовой информации
Datasheets
1(UF3SC120016K3S)
Video File
1(Minimizing EMI and switching loss for SiC FETs)
Environmental Information
()
PCN Design/Specification
1(Mult Dev A/T 4/Jun/2021)
PCN Assembly/Origin
1(Mult Dev A/T Chgs 4/Jun/2021)
HTML Datasheet
1(UF3SC120016K3S)
Количественные цены
Количество: 120
Стоимость единицы: $38.06492
Упаковка: Tube
Минимальный множитель: 1
Упаковка: Tube
Минимальный множитель: 1
Количество: 30
Стоимость единицы: $40.78367
Упаковка: Tube
Минимальный множитель: 1
Упаковка: Tube
Минимальный множитель: 1
Количество: 1
Стоимость единицы: $48.67
Упаковка: Tube
Минимальный множитель: 1
Упаковка: Tube
Минимальный множитель: 1
Альтернативы
-