English
Spain
China
Italy
GermanySIHF35N60EF-GE3
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
SIHF35N60EF-GE3
Примечания
MOSFET N-CH 600V 32A TO220
Подробное описание
N-Channel 600 V 32A (Tc) 39W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack
Производитель
Vishay Siliconix
Стандартный срок поставки
10 Weeks
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
1,000
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
Vishay Siliconix
Series
EF
Package
Bulk
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
32A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
97mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
134 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2568 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
39W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220 Full Pack
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
Base Product Number
SIHF35
Классификация окружающей среды и экспорта
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Другие названия
SIHF35N60EF-GE3TR-ND
SIHF35N60EF-GE3CTINACTIVE
SIHF35N60EF-GE3TR
SIHF35N60EF-GE3DKR-ND
SIHF35N60EF-GE3CT
SIHF35N60EF-GE3DKRINACTIVE
SIHF35N60EF-GE3CT-ND
SIHF35N60EF-GE3DKR
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix SIHF35N60EF-GE3
Документация и средства массовой информации
Datasheets
1(SIHF35N60EF)
HTML Datasheet
1(SIHF35N60EF)
Количественные цены
Количество: 1000
Стоимость единицы: $3.13685
Упаковка: Bulk
Минимальный множитель: 1000
Упаковка: Bulk
Минимальный множитель: 1000
Альтернативы
-