English
Spain
China
Italy
GermanyIPW65R280C6FKSA1
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
IPW65R280C6FKSA1
Примечания
MOSFET N-CH 650V 13.8A TO247-3
Подробное описание
N-Channel 650 V 13.8A (Tc) 104W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
Производитель
Infineon Technologies
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
240
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
Infineon Technologies
Series
CoolMOS™
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
13.8A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
280mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 440µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
950 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
104W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO247-3-1
Package / Case
TO-247-3
Base Product Number
IPW65R
Классификация окружающей среды и экспорта
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Другие названия
2156-IPW65R280C6FKSA1-IT
SP000785060
IPW65R280C6
IPW65R280C6-ND
INFINFIPW65R280C6FKSA1
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IPW65R280C6FKSA1
Документация и средства массовой информации
Datasheets
1(IPx65R280C6)
Other Related Documents
1(Part Number Guide)
Featured Product
1(Data Processing Systems)
HTML Datasheet
1(IPx65R280C6)
Simulation Models
1(CoolMOS™ Power MOSFET 650V C6 Spice Model)
Количественные цены
-
Альтернативы
Номер запчасти. : TK14N65W,S1F
Производитель : Toshiba Semiconductor and Storage
Имеющееся количество : 0
Стоимость единицы : $3.25000
Тип замены : Similar
Имеющееся количество : 0
Стоимость единицы : $3.25000
Тип замены : Similar