Номер запчасти

Номер запчасти изготовителя
IXFK80N65X2
Примечания
MOSFET N-CH 650V 80A TO264
Подробное описание
N-Channel 650 V 80A (Tc) 890W (Tc) Through Hole TO-264AA
Производитель
IXYS
Стандартный срок поставки
47 Weeks
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
25
Запасы поставщиков

Технические нормы

Mfr
IXYS
Series
HiPerFET™, Ultra X2
Package
Tube
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
40mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
143 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
8245 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
890W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-264AA
Package / Case
TO-264-3, TO-264AA
Base Product Number
IXFK80

Классификация окружающей среды и экспорта

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
California Prop 65

Другие названия

IXFK80N65X2X-ND
IXFK80N65X2X

Категория

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/IXYS IXFK80N65X2

Документация и средства массовой информации

Datasheets
()
Environmental Information
1(Ixys IC REACH)
Featured Product
1(Power MOSFETs 600 V to 700 V with HiPerFET™ Option - X2-Class Series)
HTML Datasheet
1(IXFx80N65X2 Datasheet)

Количественные цены

Количество: 500
Стоимость единицы: $14.74438
Упаковка: Tube
Минимальный множитель: 1
Количество: 100
Стоимость единицы: $17.2786
Упаковка: Tube
Минимальный множитель: 1
Количество: 25
Стоимость единицы: $18.4304
Упаковка: Tube
Минимальный множитель: 1
Количество: 1
Стоимость единицы: $22.23
Упаковка: Tube
Минимальный множитель: 1

Альтернативы

-