2N7635-GA

Номер запчасти

Номер запчасти изготовителя

2N7635-GA

Примечания

TRANS SJT 650V 4A TO257

Подробное описание

650 V 4A (Tc) (165°C) 47W (Tc) Through Hole TO-257

Производитель

GeneSiC Semiconductor

Стандартный срок поставки

Модель EDACAD

Стандартная упаковка

10

Запасы поставщиков

>>>Нажмите для просмотра<<<

Технические нормы

Mfr

GeneSiC Semiconductor

Series

-

Package

Bulk

Product Status

Obsolete

FET Type

-

Technology

SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

Drain to Source Voltage (Vdss)

650 V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C

4A (Tc) (165°C)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

415mOhm @ 4A

Vgs(th) (Max) @ Id

-

Vgs (Max)

-

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

324 pF @ 35 V

FET Feature

-

Power Dissipation (Max)

47W (Tc)

Operating Temperature

-55°C ~ 225°C (TJ)

Mounting Type

Through Hole

Supplier Device Package

TO-257

Package / Case

TO-257-3

Классификация окружающей среды и экспорта

RoHS Status

RoHS non-compliant

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Другие названия

-

Категория

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/GeneSiC Semiconductor 2N7635-GA

Документация и средства массовой информации

PCN Obsolescence/ EOL

1(Mult Devices OBS 27/Apr/2018)

Количественные цены

-

Альтернативы

-

3317-D-256-SS RN73R2BTTD72R3F100 QCM007SC2DC024P 7538-C-632-S REC5-4815DRW/H/B/M/SMD

2N7635-GA

Номер запчасти

Технические нормы

Классификация окружающей среды и экспорта

Другие названия

Категория

Документация и средства массовой информации

Количественные цены

Альтернативы

Похожие продукты