TPD3215M

Номер запчасти

Номер запчасти изготовителя

TPD3215M

Примечания

GANFET 2N-CH 600V 70A MODULE

Подробное описание

Mosfet Array 600V 70A (Tc) 470W Through Hole Module

Производитель

Transphorm

Стандартный срок поставки

Модель EDACAD

Стандартная упаковка

1

Запасы поставщиков

>>>Нажмите для просмотра<<<

Технические нормы

Mfr

Transphorm

Series

-

Package

Bulk

Product Status

Obsolete

Technology

GaNFET (Gallium Nitride)

Configuration

2 N-Channel (Half Bridge)

FET Feature

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C

70A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

34mOhm @ 30A, 8V

Vgs(th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

28nC @ 8V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

2260pF @ 100V

Power - Max

470W

Operating Temperature

-40°C ~ 150°C (TJ)

Mounting Type

Through Hole

Package / Case

Module

Supplier Device Package

Module

Base Product Number

TPD3215

Классификация окружающей среды и экспорта

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Другие названия

TPH3215M

TPH3215M-ND

Категория

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/FET, MOSFET Arrays/Transphorm TPD3215M

Документация и средства массовой информации

Datasheets

1(TPD3215M)

Product Training Modules

1(GaN versus Silicon Carbide (SiC) in Power Electronics Circuit Topologies)

Video File

()

PCN Obsolescence/ EOL

1(Mult Devices EOL 02/Apr/2018)

HTML Datasheet

1(TPD3215M)

Количественные цены

-

Альтернативы

-

SMM-131-02-S-D-31-P C2119A.12.06 HW-26-17-TM-D-250-SM RNC60H34R5FSRE7 ACT96MF32BN-3025

TPD3215M

Номер запчасти

Технические нормы

Классификация окружающей среды и экспорта

Другие названия

Категория

Документация и средства массовой информации

Количественные цены

Альтернативы

Похожие продукты