English
Spain
China
Italy
GermanyFQAF17P10
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
FQAF17P10
Примечания
MOSFET P-CH 100V 12.4A TO3PF
Подробное описание
P-Channel 100 V 12.4A (Tc) 56W (Tc) Through Hole TO-3PF
Производитель
onsemi
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
FQAF17P10 Models
Стандартная упаковка
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
onsemi
Series
QFET®
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
12.4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
190mOhm @ 6.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1100 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
56W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-3PF
Package / Case
TO-3P-3 Full Pack
Base Product Number
FQAF1
Классификация окружающей среды и экспорта
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Другие названия
-
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/onsemi FQAF17P10
Документация и средства массовой информации
Datasheets
1(FQAF17P10)
Environmental Information
()
HTML Datasheet
1(FQAF17P10)
EDA Models
1(FQAF17P10 Models)
Количественные цены
-
Альтернативы
-