English
Spain
China
Italy
GermanyIRF6668TR1
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
IRF6668TR1
Примечания
MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET MZ
Подробное описание
N-Channel 80 V 55A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MZ
Производитель
Infineon Technologies
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
80 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
55A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
15mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.9V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1320 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
DIRECTFET™ MZ
Package / Case
DirectFET™ Isometric MZ
Классификация окружающей среды и экспорта
RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Другие названия
-
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IRF6668TR1
Документация и средства массовой информации
Datasheets
1(IRF6668(TR)PbF)
Other Related Documents
1(IR Part Numbering System)
Featured Product
1(Data Processing Systems)
HTML Datasheet
1(IRF6668(TR)PbF)
Количественные цены
-
Альтернативы
Номер запчасти. : IRF6668TRPBF
Производитель : Infineon Technologies
Имеющееся количество : 17,338
Стоимость единицы : $1.95000
Тип замены : Parametric Equivalent
Имеющееся количество : 17,338
Стоимость единицы : $1.95000
Тип замены : Parametric Equivalent