English
Spain
China
Italy
GermanyBSC0803LSATMA1
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
BSC0803LSATMA1
Примечания
MOSFET N-CH 100V 10A/44A TDSON-6
Подробное описание
N-Channel 100 V 10A (Ta), 44A (Tc) 2.5W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-6
Производитель
Infineon Technologies
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
BSC0803LSATMA1 Models
Стандартная упаковка
5,000
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
Infineon Technologies
Series
OptiMOS™ 5
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
10A (Ta), 44A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
14.6mOhm @ 22A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 23µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
10 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1300 pF @ 50 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta), 52W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PG-TDSON-8-6
Package / Case
8-PowerTDFN
Base Product Number
BSC0803
Классификация окружающей среды и экспорта
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Другие названия
448-BSC0803LSATMA1DKR
448-BSC0803LSATMA1CT
448-BSC0803LSATMA1TR
SP001614084
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies BSC0803LSATMA1
Документация и средства массовой информации
Datasheets
1(BSC0803LS)
PCN Design/Specification
1(Mult Dev Mould Chgs 22/Jun/2022)
PCN Assembly/Origin
1(Optimos Site/Mat Chgs 30/May/2022)
EDA Models
1(BSC0803LSATMA1 Models)
Количественные цены
-
Альтернативы
Номер запчасти. : ISC0803NLSATMA1
Производитель : Infineon Technologies
Имеющееся количество : 2,433
Стоимость единицы : $1.24000
Тип замены : MFR Recommended
Имеющееся количество : 2,433
Стоимость единицы : $1.24000
Тип замены : MFR Recommended