GT60N321(Q)

Номер запчасти

Номер запчасти изготовителя

GT60N321(Q)

Примечания

IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH

Подробное описание

IGBT 1000 V 60 A 170 W Through Hole TO-3P(LH)

Производитель

Toshiba Semiconductor and Storage

Стандартный срок поставки

Модель EDACAD

GT60N321(Q) Models

Стандартная упаковка

Запасы поставщиков

>>>Нажмите для просмотра<<<

Технические нормы

Mfr

Toshiba Semiconductor and Storage

Series

-

Package

Tube

Product Status

Obsolete

IGBT Type

-

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

1000 V

Current - Collector (Ic) (Max)

60 A

Current - Collector Pulsed (Icm)

120 A

Vce(on) (Max) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 60A

Power - Max

170 W

Switching Energy

-

Input Type

Standard

Td (on/off) @ 25°C

330ns/700ns

Test Condition

-

Reverse Recovery Time (trr)

2.5 µs

Operating Temperature

150°C (TJ)

Mounting Type

Through Hole

Package / Case

TO-3PL

Supplier Device Package

TO-3P(LH)

Base Product Number

GT60N321

Классификация окружающей среды и экспорта

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Другие названия

-

Категория

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/IGBTs/Single IGBTs/Toshiba Semiconductor and Storage GT60N321(Q)

Документация и средства массовой информации

PCN Obsolescence/ EOL

1(EOL 08/Nov/2013)

EDA Models

1(GT60N321(Q) Models)

Количественные цены

-

Альтернативы

-

CKC21X223MCGACAUTO BZD27C8V2PHR3G AMC61DRSH-S328 345-086-523-808 PWCD-C14C15-15A-05F-RED

GT60N321(Q)

Номер запчасти

Технические нормы

Классификация окружающей среды и экспорта

Другие названия

Категория

Документация и средства массовой информации

Количественные цены

Альтернативы

Похожие продукты