English
Spain
China
Italy
GermanyIRFD110
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
IRFD110
Примечания
1A, 100V, 0.600 OHM, N-CHANNEL
Подробное описание
N-Channel 100 V 1A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Производитель
Harris Corporation
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
523
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
Harris Corporation
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
1A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
540mOhm @ 600mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
8.3 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
180 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
1.3W (Ta)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Package / Case
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Base Product Number
IRFD110
Классификация окружающей среды и экспорта
RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
0000.00.0000
Другие названия
2156-IRFD110
HARHARIRFD110
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Harris Corporation IRFD110
Документация и средства массовой информации
Datasheets
1(IRFD113)
Количественные цены
Количество: 523
Стоимость единицы: $0.57
Упаковка: Bulk
Минимальный множитель: 523
Упаковка: Bulk
Минимальный множитель: 523
Альтернативы
-