English
Spain
China
Italy
GermanyRN1112(T5L,F,T)
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
RN1112(T5L,F,T)
Примечания
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Подробное описание
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 100 mW Surface Mount SSM
Производитель
Toshiba Semiconductor and Storage
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
3,000
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
Toshiba Semiconductor and Storage
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
Transistor Type
NPN - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max)
100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V
Resistor - Base (R1)
22 kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
120 @ 1mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
Frequency - Transition
250 MHz
Power - Max
100 mW
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
SC-75, SOT-416
Supplier Device Package
SSM
Base Product Number
RN1112
Классификация окружающей среды и экспорта
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Другие названия
RN1112(T5LFT)CT
RN1112(T5LFT)DKR
RN1112(T5LFT)TR
RN1112T5LFT
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Single, Pre-Biased Bipolar Transistors/Toshiba Semiconductor and Storage RN1112(T5L,F,T)
Документация и средства массовой информации
Datasheets
1(RN1112,1113)
Количественные цены
-
Альтернативы
-