Номер запчасти

Номер запчасти изготовителя
C3M0075120D
Примечания
SICFET N-CH 1200V 30A TO247-3
Подробное описание
N-Channel 1200 V 30A (Tc) 113.6W (Tc) Through Hole TO-247-3
Производитель
Wolfspeed, Inc.
Стандартный срок поставки
34 Weeks
Модель EDACAD
C3M0075120D Models
Стандартная упаковка
30
Запасы поставщиков

Технические нормы

Mfr
Wolfspeed, Inc.
Series
C3M™
Package
Tube
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
1200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
90mOhm @ 20A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
54 nC @ 15 V
Vgs (Max)
+19V, -8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1350 pF @ 1000 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
113.6W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-247-3
Package / Case
TO-247-3
Base Product Number
C3M0075120

Классификация окружающей среды и экспорта

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
California Prop 65

Другие названия

1697-C3M0075120D
-3312-C3M0075120D
C3M0075120D-ND

Категория

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Wolfspeed, Inc. C3M0075120D

Документация и средства массовой информации

Featured Product
()
PCN Design/Specification
()
Article Library
1(Use SiC-Based MOSFETs to Improve Power Conversion Efficiency)
HTML Datasheet
1(C3M0075120D)
EDA Models
1(C3M0075120D Models)

Количественные цены

Количество: 510
Стоимость единицы: $13.59057
Упаковка: Tube
Минимальный множитель: 1
Количество: 120
Стоимость единицы: $14.9965
Упаковка: Tube
Минимальный множитель: 1
Количество: 30
Стоимость единицы: $15.93367
Упаковка: Tube
Минимальный множитель: 1
Количество: 1
Стоимость единицы: $19.68
Упаковка: Tube
Минимальный множитель: 1

Альтернативы

-