Номер запчасти

Номер запчасти изготовителя
SIE876DF-T1-GE3
Примечания
MOSFET N-CH 60V 60A 10POLARPAK
Подробное описание
N-Channel 60 V 60A (Tc) 5.2W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 10-PolarPAK® (L)
Производитель
Vishay Siliconix
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
3,000
Запасы поставщиков

Технические нормы

Mfr
Vishay Siliconix
Series
TrenchFET®
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.1mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
77 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3100 pF @ 30 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
5.2W (Ta), 125W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
10-PolarPAK® (L)
Package / Case
10-PolarPAK® (L)
Base Product Number
SIE876

Классификация окружающей среды и экспорта

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Другие названия

SIE876DF-T1-GE3-ND
SIE876DF-T1-GE3TR
SIE876DFT1GE3
SIE876DF-T1-GE3DKR
SIE876DF-T1-GE3CT

Категория

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix SIE876DF-T1-GE3

Документация и средства массовой информации

HTML Datasheet
1(SIE876DF)

Количественные цены

-

Альтернативы

-