English
Spain
China
Italy
GermanyAPT25SM120S
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
APT25SM120S
Примечания
SICFET N-CH 1200V 25A D3
Подробное описание
N-Channel 1200 V 25A (Tc) 175W (Tc) Chassis Mount D3
Производитель
Microsemi Corporation
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
1
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
Microsemi Corporation
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
1200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
175mOhm @ 10A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
72 nC @ 20 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
175W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Chassis Mount
Supplier Device Package
D3
Package / Case
D-3 Module
Классификация окружающей среды и экспорта
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Другие названия
APT25SM120S-ND
150-APT25SM120S
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Microsemi Corporation APT25SM120S
Документация и средства массовой информации
Environmental Information
()
PCN Obsolescence/ EOL
1(Mult Devices 16/Oct/2017)
Количественные цены
-
Альтернативы
-