English
Spain
China
Italy
GermanyIRF3711STRRPBF
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
IRF3711STRRPBF
Примечания
MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK
Подробное описание
N-Channel 20 V 110A (Tc) 3.1W (Ta), 120W (Tc) Surface Mount D2PAK
Производитель
Infineon Technologies
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
800
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
110A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
44 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2980 pF @ 10 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
3.1W (Ta), 120W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
D2PAK
Package / Case
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Классификация окружающей среды и экспорта
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Другие названия
-
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IRF3711STRRPBF
Документация и средства массовой информации
Datasheets
1(IRF3711(S,L))
Other Related Documents
1(IR Part Numbering System)
Product Training Modules
()
Featured Product
1(Data Processing Systems)
PCN Design/Specification
1(Material Chg 24/Nov/2015)
HTML Datasheet
1(IRF3711(S,L))
Количественные цены
-
Альтернативы
Номер запчасти. : STB200NF03T4
Производитель : STMicroelectronics
Имеющееся количество : 987
Стоимость единицы : $3.55000
Тип замены : Similar
Имеющееся количество : 987
Стоимость единицы : $3.55000
Тип замены : Similar