English
Spain
China
Italy
GermanyBDV65
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
BDV65
Примечания
TRANS NPN 60V 12A TO218
Подробное описание
Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 12 A 60MHz 125 W Through Hole TO-218
Производитель
NTE Electronics, Inc
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
1
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
NTE Electronics, Inc
Series
-
Package
Bag
Product Status
Active
Transistor Type
NPN
Current - Collector (Ic) (Max)
12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
-
Current - Collector Cutoff (Max)
-
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
1000 @ 5A, 4V
Power - Max
125 W
Frequency - Transition
60MHz
Operating Temperature
-
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-218-3
Supplier Device Package
TO-218
Классификация окружающей среды и экспорта
RoHS Status
RoHS non-compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Другие названия
-
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors/NTE Electronics, Inc BDV65
Документация и средства массовой информации
Datasheets
1(BDV6x Datasheet)
Environmental Information
()
Количественные цены
Количество: 100
Стоимость единицы: $2.29
Упаковка: Bag
Минимальный множитель: 1
Упаковка: Bag
Минимальный множитель: 1
Количество: 50
Стоимость единицы: $2.35
Упаковка: Bag
Минимальный множитель: 1
Упаковка: Bag
Минимальный множитель: 1
Количество: 20
Стоимость единицы: $2.48
Упаковка: Bag
Минимальный множитель: 1
Упаковка: Bag
Минимальный множитель: 1
Количество: 10
Стоимость единицы: $2.62
Упаковка: Bag
Минимальный множитель: 1
Упаковка: Bag
Минимальный множитель: 1
Количество: 1
Стоимость единицы: $2.76
Упаковка: Bag
Минимальный множитель: 1
Упаковка: Bag
Минимальный множитель: 1
Альтернативы
-