2SK3868(Q,M)

Номер запчасти

Номер запчасти изготовителя

2SK3868(Q,M)

Примечания

MOSFET N-CH 500V 5A TO220SIS

Подробное описание

N-Channel 500 V 5A (Ta) 35W (Tc) Through Hole TO-220SIS

Производитель

Toshiba Semiconductor and Storage

Стандартный срок поставки

Модель EDACAD

Стандартная упаковка

Запасы поставщиков

>>>Нажмите для просмотра<<<

Технические нормы

Mfr

Toshiba Semiconductor and Storage

Series

-

Package

Bulk

Product Status

Obsolete

FET Type

N-Channel

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

500 V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C

5A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.7Ohm @ 2.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±30V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

550 pF @ 25 V

FET Feature

-

Power Dissipation (Max)

35W (Tc)

Operating Temperature

150°C (TJ)

Mounting Type

Through Hole

Supplier Device Package

TO-220SIS

Package / Case

TO-220-3 Full Pack

Base Product Number

2SK3868

Классификация окружающей среды и экспорта

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Другие названия

-

Категория

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Toshiba Semiconductor and Storage 2SK3868(Q,M)

Документация и средства массовой информации

Datasheets

()

HTML Datasheet

()

Количественные цены

-

Альтернативы

-

TEP 75-2412WI TVS06RK-25-29P MAX11163EUB+T AIT6T20-15SS PCA9546ADW

2SK3868(Q,M)

Номер запчасти

Технические нормы

Классификация окружающей среды и экспорта

Другие названия

Категория

Документация и средства массовой информации

Количественные цены

Альтернативы

Похожие продукты