English
Spain
China
Italy
GermanyIRF6621TRPBF
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
IRF6621TRPBF
Примечания
MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET
Подробное описание
N-Channel 30 V 12A (Ta), 55A (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ SQ
Производитель
Infineon Technologies
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
4,800
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
12A (Ta), 55A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9.1mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.25V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
17.5 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1460 pF @ 15 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
2.2W (Ta), 42W (Tc)
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
DIRECTFET™ SQ
Package / Case
DirectFET™ Isometric SQ
Классификация окружающей среды и экспорта
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Другие названия
IRF6621TRPBFCT
IRF6621TRPBFTR
SP001524020
IRF6621TRPBFDKR
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IRF6621TRPBF
Документация и средства массовой информации
Datasheets
1(IRF6621(TR)PbF)
Other Related Documents
1(IR Part Numbering System)
Product Training Modules
()
Featured Product
1(Data Processing Systems)
PCN Packaging
1(Package Drawing Update 19/Aug/2015)
Simulation Models
1(IRF6621 Saber Model)
Product Drawings
()
Количественные цены
-
Альтернативы
-