English
Spain
China
Italy
GermanyIRFH5025TR2PBF
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
IRFH5025TR2PBF
Примечания
MOSFET N-CH 250V 3.8A PQFN
Подробное описание
N-Channel 250 V 3.8A (Ta) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Производитель
Infineon Technologies
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
IRFH5025TR2PBF Models
Стандартная упаковка
400
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
Infineon Technologies
Series
-
Package
Cut Tape (CT)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
250 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
100mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 150µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2150 pF @ 50 V
FET Feature
-
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
8-PQFN (5x6)
Package / Case
8-PowerVDFN
Классификация окружающей среды и экспорта
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Другие названия
IRFH5025TR2PBFTR
SP001563928
IRFH5025TR2PBFDKR
IRFH5025TR2PBFCT
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IRFH5025TR2PBF
Документация и средства массовой информации
Datasheets
1(IRFH5025PBF)
Other Related Documents
1(Part Number Guide)
Product Training Modules
1(High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers))
Featured Product
1(Data Processing Systems)
HTML Datasheet
1(IRFH5025PBF)
EDA Models
1(IRFH5025TR2PBF Models)
Количественные цены
-
Альтернативы
Номер запчасти. : SI7190DP-T1-GE3
Производитель : Vishay Siliconix
Имеющееся количество : 5,620
Стоимость единицы : $1.97000
Тип замены : Similar
Имеющееся количество : 5,620
Стоимость единицы : $1.97000
Тип замены : Similar
Номер запчасти. : TPH1110FNH,L1Q
Производитель : Toshiba Semiconductor and Storage
Имеющееся количество : 11,610
Стоимость единицы : $1.75000
Тип замены : Similar
Имеющееся количество : 11,610
Стоимость единицы : $1.75000
Тип замены : Similar