English
Spain
China
Italy
GermanyIXTQ36N20T
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
IXTQ36N20T
Примечания
MOSFET N-CH 200V TO3P
Подробное описание
N-Channel 200 V Through Hole TO-3P
Производитель
IXYS
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
IXYS
Series
Trench
Package
Tube
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs(th) (Max) @ Id
-
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
-
Operating Temperature
-
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-3P
Package / Case
TO-3P-3, SC-65-3
Base Product Number
IXTQ36
Классификация окружающей среды и экспорта
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
California Prop 65
Другие названия
-
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/IXYS IXTQ36N20T
Документация и средства массовой информации
Environmental Information
1(Ixys IC REACH)
Количественные цены
-
Альтернативы
-