English
Spain
China
Italy
GermanySIHB33N60EF-GE3
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
SIHB33N60EF-GE3
Примечания
MOSFET N-CH 600V 33A D2PAK
Подробное описание
N-Channel 600 V 33A (Tc) 278W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Производитель
Vishay Siliconix
Стандартный срок поставки
21 Weeks
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
Vishay Siliconix
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
33A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
98mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
155 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3454 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
278W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
TO-263 (D2PAK)
Package / Case
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Base Product Number
SIHB33
Классификация окружающей среды и экспорта
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Другие названия
-
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix SIHB33N60EF-GE3
Документация и средства массовой информации
Datasheets
1(SIHB33N60EF)
PCN Assembly/Origin
1(Additional Assembly Site 21/Oct/2016)
HTML Datasheet
1(SIHB33N60EF)
Количественные цены
Количество: 1000
Стоимость единицы: $3.5451
Упаковка: Bulk
Минимальный множитель: 1
Упаковка: Bulk
Минимальный множитель: 1
Количество: 100
Стоимость единицы: $4.4642
Упаковка: Bulk
Минимальный множитель: 1
Упаковка: Bulk
Минимальный множитель: 1
Количество: 10
Стоимость единицы: $5.357
Упаковка: Bulk
Минимальный множитель: 1
Упаковка: Bulk
Минимальный множитель: 1
Количество: 1
Стоимость единицы: $6.25
Упаковка: Bulk
Минимальный множитель: 1
Упаковка: Bulk
Минимальный множитель: 1
Альтернативы
-