English
Spain
China
Italy
GermanyNTHD4N02FT1
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
NTHD4N02FT1
Примечания
MOSFET N-CH 20V 2.9A CHIPFET
Подробное описание
N-Channel 20 V 2.9A (Tj) 910mW (Tj) Surface Mount ChipFET™
Производитель
onsemi
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
3,000
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
onsemi
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
2.9A (Tj)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
80mOhm @ 2.9A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
4 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
300 pF @ 10 V
FET Feature
Schottky Diode (Isolated)
Power Dissipation (Max)
910mW (Tj)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
ChipFET™
Package / Case
8-SMD, Flat Lead
Base Product Number
NTHD4N
Классификация окружающей среды и экспорта
RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Другие названия
NTHD4N02FT1OS
ONSONSNTHD4N02FT1
2156-NTHD4N02FT1-ONTR-ND
2156-NTHD4N02FT1
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/onsemi NTHD4N02FT1
Документация и средства массовой информации
Datasheets
1(NTHD4N02F)
Environmental Information
()
PCN Obsolescence/ EOL
1(Multiple Devices 03/Jan/2008)
Количественные цены
-
Альтернативы
-