English
Spain
China
Italy
GermanyHUF75339P3
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
HUF75339P3
Примечания
MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3
Подробное описание
N-Channel 55 V 75A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220-3
Производитель
Harris Corporation
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
320
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
Harris Corporation
Series
UltraFET™
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
12mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
130 nC @ 20 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2000 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
200W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220-3
Package / Case
TO-220-3
Классификация окружающей среды и экспорта
RoHS Status
RoHS non-compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Другие названия
2156-HUF75339P3-HC
HARHARHUF75339P3
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Harris Corporation HUF75339P3
Документация и средства массовой информации
Datasheets
1(Datasheet)
Количественные цены
Количество: 320
Стоимость единицы: $0.94
Упаковка: Tube
Минимальный множитель: 320
Упаковка: Tube
Минимальный множитель: 320
Альтернативы
-