English
Spain
China
Italy
GermanyTSM900N10CH X0G
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
TSM900N10CH X0G
Примечания
MOSFET N-CH 100V 15A TO251
Подробное описание
N-Channel 100 V 15A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)
Производитель
Taiwan Semiconductor Corporation
Стандартный срок поставки
16 Weeks
Модель EDACAD
TSM900N10CH X0G Models
Стандартная упаковка
75
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
Taiwan Semiconductor Corporation
Series
-
Package
Tube
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
15A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
90mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
9.3 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1480 pF @ 50 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
50W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-251 (IPAK)
Package / Case
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Base Product Number
TSM900
Классификация окружающей среды и экспорта
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Другие названия
TSM900N10CHX0G
TSM900N10CH X0G-ND
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Taiwan Semiconductor Corporation TSM900N10CH X0G
Документация и средства массовой информации
Datasheets
1(TSM900N10CH X0G)
Environmental Information
()
HTML Datasheet
1(TSM900N10)
EDA Models
1(TSM900N10CH X0G Models)
Количественные цены
Количество: 11250
Стоимость единицы: $0.27321
Упаковка: Tube
Минимальный множитель: 11250
Упаковка: Tube
Минимальный множитель: 11250
Альтернативы
-