English
Spain
China
Italy
GermanyIRF9953PBF
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
IRF9953PBF
Примечания
MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8SO
Подробное описание
Mosfet Array 30V 2.3A 2W Surface Mount 8-SO
Производитель
Infineon Technologies
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
95
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
Package
Tube
Product Status
Discontinued at allaboutcomponents.com
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
2 P-Channel (Dual)
FET Feature
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
2.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
250mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
190pF @ 15V
Power - Max
2W
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package
8-SO
Base Product Number
IRF995
Классификация окружающей среды и экспорта
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Другие названия
-
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/FET, MOSFET Arrays/Infineon Technologies IRF9953PBF
Документация и средства массовой информации
Datasheets
1(IRF9953)
Other Related Documents
1(IR Part Numbering System)
Product Training Modules
1(High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers))
Featured Product
1(Data Processing Systems)
PCN Packaging
1(Package Drawing Update 19/Aug/2015)
HTML Datasheet
1(IRF9953)
Количественные цены
-
Альтернативы
-