Номер запчасти

Номер запчасти изготовителя
HUF76009P3
Примечания
N-CHANNEL POWER MOSFET
Подробное описание
N-Channel 20 V 20A (Tc) 41W (Tc) Through Hole TO-220AB
Производитель
Fairchild Semiconductor
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
523
Запасы поставщиков

Технические нормы

Mfr
Fairchild Semiconductor
Series
UltraFET®
Package
Bulk
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
27mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
470 pF @ 20 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
41W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220AB
Package / Case
TO-220-3

Классификация окружающей среды и экспорта

RoHS Status
RoHS non-compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Другие названия

2156-HUF76009P3
FAIFSCHUF76009P3

Категория

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Fairchild Semiconductor HUF76009P3

Документация и средства массовой информации

Datasheets
1(HUF76009D3ST)

Количественные цены

Количество: 523
Стоимость единицы: $0.57
Упаковка: Bulk
Минимальный множитель: 523

Альтернативы

-