English
Spain
China
Italy
GermanyDF200R12W1H3B27BOMA1
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
DF200R12W1H3B27BOMA1
Примечания
IGBT MOD 1200V 30A 375W
Подробное описание
IGBT Module 2 Independent 1200 V 30 A 375 W Chassis Mount Module
Производитель
Infineon Technologies
Стандартный срок поставки
26 Weeks
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
24
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
Infineon Technologies
Series
-
Package
Tray
Product Status
Active
IGBT Type
-
Configuration
2 Independent
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V
Current - Collector (Ic) (Max)
30 A
Power - Max
375 W
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.3V @ 15V, 30A
Current - Collector Cutoff (Max)
1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce
2 nF @ 25 V
Input
Standard
NTC Thermistor
Yes
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C
Mounting Type
Chassis Mount
Package / Case
Module
Supplier Device Package
Module
Base Product Number
DF200R12
Классификация окружающей среды и экспорта
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Другие названия
448-DF200R12W1H3B27BOMA1
DF200R12W1H3B27BOMA1-ND
SP001056182
DF200R12W1H3_B27
DF200R12W1H3_B27-ND
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/IGBTs/IGBT Modules/Infineon Technologies DF200R12W1H3B27BOMA1
Документация и средства массовой информации
Datasheets
1(DF200R12W1H3_B27)
Environmental Information
1(RoHS Certificate)
HTML Datasheet
1(DF200R12W1H3_B27)
Количественные цены
Количество: 24
Стоимость единицы: $63.47125
Упаковка: Tray
Минимальный множитель: 24
Упаковка: Tray
Минимальный множитель: 24
Альтернативы
-