English
Spain
China
Italy
GermanySTH180N10F3-6
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
STH180N10F3-6
Примечания
MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
Подробное описание
N-Channel 100 V 180A (Tc) 315W (Tc) Surface Mount H2PAK-6
Производитель
STMicroelectronics
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
1,000
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
STMicroelectronics
Series
STripFET™ III
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
180A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.5mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
114.6 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
6665 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
315W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
H2PAK-6
Package / Case
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Base Product Number
STH180
Классификация окружающей среды и экспорта
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Другие названия
497-11840-6
-497-11840-6
STH180N10F36
-497-11840-2
497-11840-2
-497-11840-1
497-11840-1
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/STMicroelectronics STH180N10F3-6
Документация и средства массовой информации
Datasheets
1(STH180N10F3-6)
Product Training Modules
1(STMicroelectronics ST MOSFETs)
Video File
1(Motor Control in Electric Vehicles)
HTML Datasheet
1(STH180N10F3-6)
Количественные цены
-
Альтернативы
-