Номер запчасти

Номер запчасти изготовителя
IXTK120N65X2
Примечания
MOSFET N-CH 650V 120A TO264
Подробное описание
N-Channel 650 V 120A (Tc) 1250W (Tc) Through Hole TO-264 (IXTK)
Производитель
IXYS
Стандартный срок поставки
47 Weeks
Модель EDACAD
IXTK120N65X2 Models
Стандартная упаковка
Запасы поставщиков

Технические нормы

Mfr
IXYS
Series
Ultra X2
Package
Tube
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
24mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 8mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
240 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
13600 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
1250W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-264 (IXTK)
Package / Case
TO-264-3, TO-264AA
Base Product Number
IXTK120

Классификация окружающей среды и экспорта

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
California Prop 65

Другие названия

-

Категория

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/IXYS IXTK120N65X2

Документация и средства массовой информации

Datasheets
()
Environmental Information
1(Ixys IC REACH)
Featured Product
1(Power MOSFETs 600 V to 700 V with HiPerFET™ Option - X2-Class Series)
HTML Datasheet
1(IXT(K,X)120N65X2)
EDA Models
1(IXTK120N65X2 Models)

Количественные цены

Количество: 500
Стоимость единицы: $15.55278
Упаковка: Tube
Минимальный множитель: 1
Количество: 100
Стоимость единицы: $18.2259
Упаковка: Tube
Минимальный множитель: 1
Количество: 25
Стоимость единицы: $19.4408
Упаковка: Tube
Минимальный множитель: 1
Количество: 1
Стоимость единицы: $23.45
Упаковка: Tube
Минимальный множитель: 1

Альтернативы

-