English
Spain
China
Italy
GermanyBSM600C12P3G201
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
BSM600C12P3G201
Примечания
SICFET N-CH 1200V 600A MODULE
Подробное описание
N-Channel 1200 V 600A (Tc) 2460W (Tc) Chassis Mount Module
Производитель
Rohm Semiconductor
Стандартный срок поставки
19 Weeks
Модель EDACAD
BSM600C12P3G201 Models
Стандартная упаковка
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
Rohm Semiconductor
Series
-
Package
Tray
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
1200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
600A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs(th) (Max) @ Id
5.6V @ 182mA
Vgs (Max)
+22V, -4V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
28000 pF @ 10 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
2460W (Tc)
Operating Temperature
175°C (TJ)
Mounting Type
Chassis Mount
Supplier Device Package
Module
Package / Case
Module
Base Product Number
BSM600
Классификация окружающей среды и экспорта
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Другие названия
-
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Rohm Semiconductor BSM600C12P3G201
Документация и средства массовой информации
Datasheets
1(BSM600C12P3G201)
Product Training Modules
()
Video File
()
Featured Product
()
EDA Models
1(BSM600C12P3G201 Models)
Количественные цены
Количество: 4
Стоимость единицы: $1250.785
Упаковка: Tray
Минимальный множитель: 4
Упаковка: Tray
Минимальный множитель: 4
Альтернативы
-