English
Spain
China
Italy
GermanySPI08N50C3XKSA1
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
SPI08N50C3XKSA1
Примечания
MOSFET N-CH 560V 7.6A TO262-3
Подробное описание
N-Channel 560 V 7.6A (Tc) 83W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
Производитель
Infineon Technologies
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
500
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
Infineon Technologies
Series
CoolMOS™
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
560 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
7.6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
600mOhm @ 4.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 350µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
750 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
83W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO262-3-1
Package / Case
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Base Product Number
SPI08N
Классификация окружающей среды и экспорта
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Другие названия
SPI08N50C3
SPI08N50C3IN-ND
IFEINFSPI08N50C3XKSA1
SPI08N50C3-ND
SPI08N50C3IN
2156-SPI08N50C3XKSA1-IT
SP000680984
SPI08N50C3XK
SPI08N50C3X
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies SPI08N50C3XKSA1
Документация и средства массовой информации
Datasheets
1(SP(P,I,A)08N50C3)
Other Related Documents
1(Part Number Guide)
Featured Product
1(Data Processing Systems)
HTML Datasheet
1(SP(P,I,A)08N50C3)
Simulation Models
1(CoolMOS™ Power MOSFET 500V C3 Spice Model)
Количественные цены
-
Альтернативы
Номер запчасти. : IRFSL9N60APBF
Производитель : Vishay Siliconix
Имеющееся количество : 900
Стоимость единицы : $2.75000
Тип замены : Direct
Имеющееся количество : 900
Стоимость единицы : $2.75000
Тип замены : Direct