English
Spain
China
Italy
Germany2SB860-E
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
2SB860-E
Примечания
POWER BIPOLAR TRANSISTOR, PNP
Подробное описание
Bipolar (BJT) Transistor PNP 100 V 4 A 1.8 W Through Hole TO-220AB
Производитель
Renesas Electronics Corporation
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
285
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
Renesas Electronics Corporation
Series
-
Package
Bulk
Product Status
Active
Transistor Type
PNP
Current - Collector (Ic) (Max)
4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1V @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max)
100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
50 @ 500mA, 4V
Power - Max
1.8 W
Frequency - Transition
-
Operating Temperature
-40°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-220-3
Supplier Device Package
TO-220AB
Классификация окружающей среды и экспорта
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Другие названия
2156-2SB860-E
RENRNS2SB860-E
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Single Bipolar Transistors/Renesas Electronics Corporation 2SB860-E
Документация и средства массовой информации
Datasheets
1(Datasheet)
Количественные цены
Количество: 286
Стоимость единицы: $1.05
Упаковка: Bulk
Минимальный множитель: 286
Упаковка: Bulk
Минимальный множитель: 286
Альтернативы
-