English
Spain
China
Italy
GermanyFQPF3P50
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
FQPF3P50
Примечания
MOSFET P-CH 500V 1.9A TO220F
Подробное описание
P-Channel 500 V 1.9A (Tc) 39W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Производитель
onsemi
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
FQPF3P50 Models
Стандартная упаковка
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
onsemi
Series
QFET®
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
500 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
1.9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.9Ohm @ 950mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
660 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
39W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220F-3
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
Base Product Number
FQPF3
Классификация окружающей среды и экспорта
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Другие названия
-
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/onsemi FQPF3P50
Документация и средства массовой информации
Datasheets
1(FQPF3P50)
Environmental Information
()
HTML Datasheet
1(FQPF3P50)
EDA Models
1(FQPF3P50 Models)
Количественные цены
-
Альтернативы
-