Номер запчасти

Номер запчасти изготовителя
SIHB24N80AE-GE3
Примечания
MOSFET N-CH 800V 21A D2PAK
Подробное описание
N-Channel 800 V 21A (Tc) 208W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Производитель
Vishay Siliconix
Стандартный срок поставки
28 Weeks
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
50
Запасы поставщиков

Технические нормы

Mfr
Vishay Siliconix
Series
-
Package
Tube
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
800 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
184mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
89 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1836 pF @ 100 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
208W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
TO-263 (D2PAK)
Package / Case
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Base Product Number
SIHB24

Классификация окружающей среды и экспорта

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Другие названия

-

Категория

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix SIHB24N80AE-GE3

Документация и средства массовой информации

Datasheets
1(E Series Power MOSFET)

Количественные цены

Количество: 5000
Стоимость единицы: $1.5975
Упаковка: Tube
Минимальный множитель: 1
Количество: 2000
Стоимость единицы: $1.66511
Упаковка: Tube
Минимальный множитель: 1
Количество: 1000
Стоимость единицы: $1.76837
Упаковка: Tube
Минимальный множитель: 1
Количество: 500
Стоимость единицы: $2.06524
Упаковка: Tube
Минимальный множитель: 1
Количество: 100
Стоимость единицы: $2.3234
Упаковка: Tube
Минимальный множитель: 1
Количество: 50
Стоимость единицы: $2.7106
Упаковка: Tube
Минимальный множитель: 1
Количество: 1
Стоимость единицы: $3.42
Упаковка: Tube
Минимальный множитель: 1

Альтернативы

-