English
Spain
China
Italy
GermanySIJ420DP-T1-GE3
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
SIJ420DP-T1-GE3
Примечания
MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8
Подробное описание
N-Channel 20 V 50A (Tc) 4.8W (Ta), 62.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Производитель
Vishay Siliconix
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
3,000
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
Vishay Siliconix
Series
TrenchFET®
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.6mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
90 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3630 pF @ 10 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
4.8W (Ta), 62.5W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PowerPAK® SO-8
Package / Case
PowerPAK® SO-8
Base Product Number
SIJ420
Классификация окружающей среды и экспорта
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Другие названия
SIJ420DP-T1-GE3CT
SIJ420DP-T1-GE3TR
SIJ420DPT1GE3
SIJ420DP-T1-GE3DKR
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix SIJ420DP-T1-GE3
Документация и средства массовой информации
PCN Assembly/Origin
1(Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014)
HTML Datasheet
1(SIJ420DP)
Количественные цены
-
Альтернативы
Номер запчасти. : HAT2160H-EL-E
Производитель : Renesas Electronics Corporation
Имеющееся количество : 0
Стоимость единицы : $0.00000
Тип замены : Similar
Имеющееся количество : 0
Стоимость единицы : $0.00000
Тип замены : Similar