Номер запчасти

Номер запчасти изготовителя
IXFR120N20
Примечания
MOSFET N-CH 200V 105A ISOPLUS247
Подробное описание
N-Channel 200 V 105A (Tc) 417W (Tc) Through Hole ISOPLUS247™
Производитель
IXYS
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
30
Запасы поставщиков

Технические нормы

Mfr
IXYS
Series
HiPerFET™
Package
Tube
Product Status
Not For New Designs
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
105A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
17mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 8mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
360 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
9100 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
417W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
ISOPLUS247™
Package / Case
TO-247-3
Base Product Number
IXFR120

Классификация окружающей среды и экспорта

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
California Prop 65

Другие названия

-

Категория

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/IXYS IXFR120N20

Документация и средства массовой информации

Datasheets
1(IXDR120N20)
Environmental Information
1(Ixys IC REACH)
PCN Obsolescence/ EOL
1(Mult Devices OBS 24/Feb/2014)
HTML Datasheet
1(IXDR120N20)

Количественные цены

Количество: 30
Стоимость единицы: $15.41867
Упаковка: Tube
Минимальный множитель: 30

Альтернативы

-