Номер запчасти

Номер запчасти изготовителя
HN3C10FUTE85LF
Примечания
RF TRANS 2 NPN 12V 7GHZ US6
Подробное описание
RF Transistor 2 NPN (Dual) 12V 80mA 7GHz 200mW Surface Mount US6
Производитель
Toshiba Semiconductor and Storage
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
3,000
Запасы поставщиков

Технические нормы

Mfr
Toshiba Semiconductor and Storage
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Active
Transistor Type
2 NPN (Dual)
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
12V
Frequency - Transition
7GHz
Noise Figure (dB Typ @ f)
1.1dB @ 1GHz
Gain
11.5dB
Power - Max
200mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
80 @ 20mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max)
80mA
Operating Temperature
-
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Supplier Device Package
US6
Base Product Number
HN3C10

Классификация окружающей среды и экспорта

RoHS Status
RoHS Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Другие названия

HN3C10FUTE85LFTR
HN3C10FUTE85LFCT
HN3C10FUTE85LFDKR
HN3C10FU(TE85L,F)

Категория

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/Bipolar (BJT)/Bipolar RF Transistors/Toshiba Semiconductor and Storage HN3C10FUTE85LF

Документация и средства массовой информации

-

Количественные цены

Количество: 100
Стоимость единицы: $0.3354
Упаковка: Cut Tape (CT)
Минимальный множитель: 1
Количество: 10
Стоимость единицы: $0.482
Упаковка: Cut Tape (CT)
Минимальный множитель: 1
Количество: 1
Стоимость единицы: $0.57
Упаковка: Cut Tape (CT)
Минимальный множитель: 1

Альтернативы

Номер запчасти. : BFS483H6327XTSA1
Производитель : Infineon Technologies
Имеющееся количество : 48,521
Стоимость единицы : $0.73000
Тип замены : Similar