English
Spain
China
Italy
GermanyIPI072N10N3G
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
IPI072N10N3G
Примечания
OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Подробное описание
N-Channel 100 V 80A (Tc) 150W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
Производитель
Infineon Technologies
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
289
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
Infineon Technologies
Series
OptiMOS® 3
Package
Bulk
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7.2mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 90µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4910 pF @ 50 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
150W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO262-3-1
Package / Case
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Классификация окружающей среды и экспорта
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Другие названия
IFEINFIPI072N10N3G
2156-IPI072N10N3G
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IPI072N10N3G
Документация и средства массовой информации
Datasheets
1(IPI072N10N3G Datasheet)
Количественные цены
Количество: 289
Стоимость единицы: $1.04
Упаковка: Bulk
Минимальный множитель: 289
Упаковка: Bulk
Минимальный множитель: 289
Альтернативы
-