English
Spain
China
Italy
GermanyIPA030N10N3GXKSA1
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
IPA030N10N3GXKSA1
Примечания
MOSFET N-CH 100V 79A TO220-FP
Подробное описание
N-Channel 100 V 79A (Tc) 41W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Производитель
Infineon Technologies
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
500
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
Infineon Technologies
Series
OptiMOS™
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
79A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3mOhm @ 79A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 270µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
206 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
14800 pF @ 50 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
41W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
PG-TO220-FP
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
Base Product Number
IPA030
Классификация окружающей среды и экспорта
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Другие названия
SP000464914
448-IPA030N10N3GXKSA1
IPA030N10N3 G
IPA030N10N3G
IPA030N10N3 G-ND
IPA030N10N3GXKSA1-ND
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies IPA030N10N3GXKSA1
Документация и средства массовой информации
Datasheets
1(IPA030N10N3 G)
Other Related Documents
1(Part Number Guide)
Featured Product
1(Data Processing Systems)
HTML Datasheet
1(IPA030N10N3 G)
Simulation Models
1(MOSFET OptiMOS™ 100V N-Channel Spice Model)
Количественные цены
-
Альтернативы
-