English
Spain
China
Italy
GermanyFQI5N60CTU
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
FQI5N60CTU
Примечания
MOSFET N-CH 600V 4.5A I2PAK
Подробное описание
N-Channel 600 V 4.5A (Tc) 3.13W (Ta), 100W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
Производитель
onsemi
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
FQI5N60CTU Models
Стандартная упаковка
1,000
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
onsemi
Series
QFET®
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
4.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.5Ohm @ 2.25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
19 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
670 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
3.13W (Ta), 100W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-262 (I2PAK)
Package / Case
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Base Product Number
FQI5N60
Классификация окружающей среды и экспорта
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Другие названия
-
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/onsemi FQI5N60CTU
Документация и средства массовой информации
Datasheets
1(FQI5N60C)
Environmental Information
()
PCN Design/Specification
()
PCN Assembly/Origin
1(Mult Dev Material Chgs 14/Oct/2020)
PCN Packaging
()
HTML Datasheet
1(FQI5N60C)
EDA Models
1(FQI5N60CTU Models)
Количественные цены
-
Альтернативы
Номер запчасти. : STI4N62K3
Производитель : STMicroelectronics
Имеющееся количество : 0
Стоимость единицы : $0.51655
Тип замены : Similar
Имеющееся количество : 0
Стоимость единицы : $0.51655
Тип замены : Similar