English
Spain
China
Italy
GermanySIS778DN-T1-GE3
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
SIS778DN-T1-GE3
Примечания
MOSFET N-CH 30V 35A PPAK1212-8
Подробное описание
N-Channel 30 V 35A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Производитель
Vishay Siliconix
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
Vishay Siliconix
Series
-
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
42.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1390 pF @ 15 V
FET Feature
Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max)
52W (Tc)
Operating Temperature
-50°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PowerPAK® 1212-8
Package / Case
PowerPAK® 1212-8
Base Product Number
SIS778
Классификация окружающей среды и экспорта
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Другие названия
-
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix SIS778DN-T1-GE3
Документация и средства массовой информации
Datasheets
1(SIS778DN)
PCN Obsolescence/ EOL
1(Multiple Devices 14/Mar/2018)
HTML Datasheet
1(SIS778DN)
Количественные цены
-
Альтернативы
-