English
Spain
China
Italy
GermanyFQPF7N65CYDTU
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
FQPF7N65CYDTU
Примечания
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N
Подробное описание
N-Channel 650 V 7A (Tc) 52W (Tc) Through Hole TO-220F-3 (Y-Forming)
Производитель
Fairchild Semiconductor
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
366
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
Fairchild Semiconductor
Series
QFET®
Package
Bulk
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
7A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.4Ohm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1245 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
52W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-220F-3 (Y-Forming)
Package / Case
TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Классификация окружающей среды и экспорта
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Другие названия
2156-FQPF7N65CYDTU
FAIFSCFQPF7N65CYDTU
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Fairchild Semiconductor FQPF7N65CYDTU
Документация и средства массовой информации
Datasheets
1(FQPF7N65C Datasheet)
Количественные цены
Количество: 366
Стоимость единицы: $0.82
Упаковка: Bulk
Минимальный множитель: 366
Упаковка: Bulk
Минимальный множитель: 366
Альтернативы
-