English
Spain
China
Italy
GermanySI5513DC-T1-GE3
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
SI5513DC-T1-GE3
Примечания
MOSFET N/P-CH 20V 3.1A 1206-8
Подробное описание
Mosfet Array 20V 3.1A, 2.1A 1.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Производитель
Vishay Siliconix
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
Vishay Siliconix
Series
TrenchFET®
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Obsolete
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
N and P-Channel
FET Feature
Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)
20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
3.1A, 2.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
75mOhm @ 3.1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
6nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
-
Power - Max
1.1W
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
8-SMD, Flat Lead
Supplier Device Package
1206-8 ChipFET™
Base Product Number
SI5513
Классификация окружающей среды и экспорта
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Другие названия
-
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/FET, MOSFET Arrays/Vishay Siliconix SI5513DC-T1-GE3
Документация и средства массовой информации
Environmental Information
()
HTML Datasheet
1(SI5513DC)
Количественные цены
-
Альтернативы
Номер запчасти. : SI5515CDC-T1-GE3
Производитель : Vishay Siliconix
Имеющееся количество : 4,380
Стоимость единицы : $0.80000
Тип замены : Similar
Имеющееся количество : 4,380
Стоимость единицы : $0.80000
Тип замены : Similar