Номер запчасти

Номер запчасти изготовителя
NTH4LN095N65S3H
Примечания
POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Подробное описание
N-Channel 650 V 30A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-247-4
Производитель
onsemi
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
30
Запасы поставщиков

Технические нормы

Mfr
onsemi
Series
SuperFET® III
Package
Tube
Product Status
Not For New Designs
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
95mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 2.8mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
58 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2833 pF @ 400 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
208W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-247-4
Package / Case
TO-247-4

Классификация окружающей среды и экспорта

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Другие названия

-

Категория

/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/onsemi NTH4LN095N65S3H

Документация и средства массовой информации

Datasheets
1(NTH4LN095N65S3H)
Environmental Information
()
HTML Datasheet
1(NTH4LN095N65S3H)

Количественные цены

Количество: 2010
Стоимость единицы: $4.25751
Упаковка: Tube
Минимальный множитель: 1
Количество: 1020
Стоимость единицы: $4.54359
Упаковка: Tube
Минимальный множитель: 1
Количество: 510
Стоимость единицы: $5.04843
Упаковка: Tube
Минимальный множитель: 1
Количество: 120
Стоимость единицы: $5.72158
Упаковка: Tube
Минимальный множитель: 1
Количество: 30
Стоимость единицы: $6.39467
Упаковка: Tube
Минимальный множитель: 1
Количество: 1
Стоимость единицы: $8.01
Упаковка: Tube
Минимальный множитель: 1

Альтернативы

Номер запчасти. : IXFH60N65X2-4
Производитель : IXYS
Имеющееся количество : 33
Стоимость единицы : $12.63000
Тип замены : Similar