English
Spain
China
Italy
GermanySIJ800DP-T1-GE3
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
SIJ800DP-T1-GE3
Примечания
MOSFET N-CH 40V 20A PPAK SO-8
Подробное описание
N-Channel 40 V 20A (Tc) 4.2W (Ta), 35.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Производитель
Vishay Siliconix
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
Vishay Siliconix
Series
TrenchFET®
Package
Tape & Reel (TR)
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2400 pF @ 20 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
4.2W (Ta), 35.7W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Supplier Device Package
PowerPAK® SO-8
Package / Case
PowerPAK® SO-8
Base Product Number
SIJ800
Классификация окружающей среды и экспорта
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Другие названия
-
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Vishay Siliconix SIJ800DP-T1-GE3
Документация и средства массовой информации
HTML Datasheet
1(SIJ800DP)
Количественные цены
-
Альтернативы
-