English
Spain
China
Italy
GermanyFQA44N30
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
FQA44N30
Примечания
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
Подробное описание
N-Channel 300 V 43.5A (Tc) 310W (Tc) Through Hole TO-3PN
Производитель
Fairchild Semiconductor
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
67
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
Fairchild Semiconductor
Series
QFET®
Package
Bulk
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
300 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
43.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
69mOhm @ 21.75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
150 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
5600 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
310W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-3PN
Package / Case
TO-3P-3, SC-65-3
Классификация окружающей среды и экспорта
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Другие названия
FAIFSCFQA44N30
2156-FQA44N30
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Fairchild Semiconductor FQA44N30
Документация и средства массовой информации
Datasheets
1(FQA44N30 Datasheet)
Количественные цены
Количество: 67
Стоимость единицы: $4.5
Упаковка: Bulk
Минимальный множитель: 67
Упаковка: Bulk
Минимальный множитель: 67
Альтернативы
-