English
Spain
China
Italy
GermanyAUIRF1405ZL
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
AUIRF1405ZL
Примечания
MOSFET N-CH 55V 150A TO262
Подробное описание
N-Channel 55 V 150A (Tc) 230W (Tc) Through Hole TO-262
Производитель
Infineon Technologies
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
Стандартная упаковка
1,000
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
Package
Tube
Product Status
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
150A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.9mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
180 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
4780 pF @ 25 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
230W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-262
Package / Case
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Классификация окружающей среды и экспорта
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Другие названия
SP001516578
2156-AUIRF1405ZL
INFINFAUIRF1405ZL
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/Infineon Technologies AUIRF1405ZL
Документация и средства массовой информации
Datasheets
1(AUIRF1405ZL Datasheet)
Other Related Documents
1(Part Number Guide)
Product Training Modules
1(High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers))
Featured Product
1(Data Processing Systems)
PCN Packaging
1(Package Drawing Update 19/Aug/2015)
HTML Datasheet
1(AUIRF1405ZL Datasheet)
Количественные цены
-
Альтернативы
-