English
Spain
China
Italy
GermanySCTWA35N65G2VAG
Номер запчасти
Номер запчасти изготовителя
SCTWA35N65G2VAG
Примечания
SICFET N-CH 650V 45A TO247
Подробное описание
N-Channel 650 V 45A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-247 Long Leads
Производитель
STMicroelectronics
Стандартный срок поставки
Модель EDACAD
SCTWA35N65G2VAG Models
Стандартная упаковка
600
Запасы поставщиков
Технические нормы
Mfr
STMicroelectronics
Series
-
Package
Tube
Product Status
Active
FET Type
N-Channel
Technology
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
45A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
18V, 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
72mOhm @ 20A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
73 nC @ 20 V
Vgs (Max)
+20V, -5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1370 pF @ 400 V
FET Feature
-
Power Dissipation (Max)
208W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Supplier Device Package
TO-247 Long Leads
Package / Case
TO-247-3
Base Product Number
SCTWA35
Классификация окружающей среды и экспорта
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Другие названия
-
Категория
/Product Index/Discrete Semiconductor Products/Transistors/FETs, MOSFETs/Single FETs, MOSFETs/STMicroelectronics SCTWA35N65G2VAG
Документация и средства массовой информации
Datasheets
1(SCTWA35N65G2VAG)
EDA Models
1(SCTWA35N65G2VAG Models)
Количественные цены
-
Альтернативы
Номер запчасти. : MSC060SMA070B
Производитель : Microchip Technology
Имеющееся количество : 19
Стоимость единицы : $9.64000
Тип замены : Similar
Имеющееся количество : 19
Стоимость единицы : $9.64000
Тип замены : Similar